阿斯麦

证据摘要

ASML于9月8日与三星电子宣布扩大High-NA EUV合作。三星加入面向未来制造的12英寸光罩平台倡议，并计划在2028年首次把High-NA EUV导入DRAM大规模量产。双方称更大光罩有助于提高产能、降低成本和取消拼接限制。公告确认客户导入路线，但未披露机台订单数量、金额或交期，因此只验证High-NA从逻辑向存储扩展，尚不能改写价值捕获或供给约束。

证据摘要

ASML于2026年7月15日公告，英特尔晶圆代工已在Oregon将Intel 18A部分层双认证到High-NA EUV，并用于Core Ultra Series 3（Panther Lake）子集产品出货，良率与NXE平台匹配。这是High-NA首次进入逻辑高量产，但仅覆盖部分层和单一客户，台积电仍计划2029年前不用，不能改写光刻窄门与拥挤度判断。

证据摘要

ASML 2026 年二季度净销售额 93.26 亿欧元、毛利率 54.0%、净利润 29.18 亿欧元，并把全年销售指引设为 430亿-450 亿欧元、毛利率 54%-56%。公司计划在 2026 年约 65 台 Low-NA EUV 能力基础上，为 2027 年再增加约 30%，浸没式 DUV 也以 2026 年约 130 台能力为基准扩充。事实继续验证光刻窄门需求和扩产难度，但高关注度与估值拥挤未缓解。

证据摘要

ASML Q1 2026 投资者资料继续作为 EUV、DUV 和 High-NA 设备订单、收入、毛利及客户导入的核心原始来源。该证据补低置信度光刻节点的 filing 缺口，支持其瓶颈纯度最高；但 ASML 已是高关注标的，投资机会分主要受估值、交期和客户 capex 节奏约束。

证据摘要

ASML Q1 2026 披露净销售 88 亿欧元、毛利率 53.0%，并预计 2026 年净销售 360-400 亿欧元。该证据直接补强光刻设备节点，说明 EUV/High-NA 仍是先进制程最窄门，但出口管制和客户 capex 节奏仍是反证。 本轮仅将其作为证据覆盖和事件复核输入：若披露没有进一步拆出客户、订单质量、毛利或交付节奏，则不据此上调评分；若后续公告验证订单兑现或风险扩大，再同步更新 researchEvents 与九项评分。

证据摘要

本轮正式主题全量维护将该来源作为半导体方向的增量证据: High-NA和EUV继续证明光刻是先进制程窄门,但估值和关注度拥挤限制机会分。 证据同时用于覆盖低置信度队列、核心窄门复核或替代标的扫描; 若缺少订单、客户、产能、毛利或监管闭环,本轮不据此上调评分,只把缺口写入 failedSourceIds 和 nextActions。

证据摘要

ASML 2025 年报披露全年净销售 327 亿欧元、毛利率 52.8%，并展望 2026 年净销售 340 亿至 390 亿欧元、毛利率 51% 至 53%。 该证据用于本轮09:53正式主题全量维护和低置信度补全，直接检验需求、订单、交期、产能、毛利或监管节点是否继续兑现。证据继续验证 EUV/DUV 和 High-NA 光刻设备稀缺性。 若缺少客户、资金流、订单拆分或项目级闭环，本轮不据此上调评分，只作为公司级或节点级证据补强。

证据摘要

ASML 2025 年报披露全年净销售 327 亿欧元、毛利率 52.8%，并展望 2026 年净销售 340 亿至 390 亿欧元、毛利率 51% 至 53%。 该证据用于本轮正式主题全量维护和低置信度补全，直接检验需求、订单、交期、产能、毛利或监管节点是否继续兑现。证据继续验证 EUV/DUV 和 High-NA 光刻设备稀缺性。 若缺少客户、资金流、订单拆分或项目级闭环，本轮不据此上调评分，只作为公司级或节点级证据补强。